闪存产能变数频发价格下跌趋势难反转

2019-07-12 16:55:57 作者：财经库来源：网易财经

由于库存过高，今年NAND Flash产品的价格下跌趋势难反转，但是跌幅可能会缩小。

近期，价格“跌跌不休”的NAND Flash（闪存芯片）市场，突然遇到了产业变动。

7月初，日本经济产业省就宣布，日本将限制对韩国出口3种半导体及OLED材料。自7月4日起，包括“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩国出口。

其中，光刻胶与NAND Flash等存储芯片的生产制造相关。有手机从业者曾告诉记者，存储已经超过屏幕、CPU，成为手机最大的成本，存储在手机中的成本达到25%-35%，可见其重要性。

另一方面，6月底，东芝的NAND Flash的工厂突然断电13分钟，至今还未恢复正常运营。这些因素都对接下来NAND Flash的产能以及价格造成影响，因此也有传闻称接下来NAND Flash会涨价。

但是在业内看来，虽然降幅可能收窄，价格下跌的趋势却很难改变。集邦咨询(TrendForce)研究协理陈玮告诉21世纪经济报道记者：“预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”

闪存市场的两起突发事件

具体来看，一方面日本对出口韩国的半导体管制变得严厉，自7?月4?日起，韩国的最惠国待遇就被取消了，对于氟化聚酰亚胺、光刻胶和氟化氢三种半导体材料的出口限制上，从原先的免申请出口许可，改为逐案审核，相关审查流程最长将达90?个工作日。

根据新华社报道，日本政府在7月9日拒绝韩国方面谈判提议，重申不打算撤销对出口韩国半导体产业原材料的管制。日本经济产业大臣世耕弘成9日结束内阁会议后告诉媒体记者：“（限制对韩出口）不可谈，我们不打算撤回（管制措施）。”

随着日韩贸易摩擦愈演愈烈，韩国半导体产业受到打击。对于韩国存储大厂来说，光刻胶对其影响最大。

据了解，光刻技术是芯片制造中重要的工艺，而光刻胶则是光刻技术实现的关键材料，是涂覆在半导体基板上的感光剂，占芯片制造成本约为7%。在光刻胶这一上游领域，日本企业占据垄断地位。

在NAND Flash市场上，主要玩家有三星、东芝、西部数据、美光、SK?海力士、英特尔，其中三星阵营和东芝阵营占据了半壁江山。而日本的断供，也将影响韩国三星和SK?海力士的NAND Flash芯片制造，导致减产。

为了应对这一局面，业内也传出消息称，海力士正在和Intel谈判，或收购大连工厂及3D NAND业务，从而补充产能。此外，韩国产业通商资源部提出了“复兴战略”，加强韩国国内的供应链，预计从2021?年起，将对半导体材料、零组件、设备研发投入6?兆韩元（约51?亿美元）的预算。

另一方面，东芝在6月遭遇断电事故，5个工厂未能幸免，至今还未完全恢复，这也影响了NAND Flash的产能。而受伤的厂区也包括东芝和西部数据的合资厂，西部数据公开表示，约6ExaByte?(EB)的产能收到影响。

陈玮向记者表示：“对东芝NAND Flash产能影响至少达30%，但预计七月中旬就会恢复生产。”

除了以上的突发事故，另一巨头美光的营收和产能也不理想。受到供大于求的环境背景、以及中美贸易摩擦的影响，美光2019财年Q3季度中，NAND营收大约占总营收的31%，营收环比下降18%，同比下降25%。为了进一步改善市场供需，美光决定将NAND Flash产出减少比例从原来的5%提高到了10%，还将削减2020年资本支出。

那么，面对今年NAND Flash产能减少的情况，三季度开始产品价格会上涨吗？

下跌趋势难反转

有观点认为，以上这两个事件会对NAND Flash价格产生影响，甚至预计NANDFlash将涨价10%到15%。

但是陈玮告诉记者：“七月通路Wafer（晶圆）价格报价预计上涨至少10%，但成交价格可能不会上涨这么多，集邦咨询预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”

按照TrendForce存储器储存研究（DRAMeXchange）的评估，东芝事件将使得Wafer短期报价面临涨价压力，第三季度2D NAND Flash产品价格可能上涨，3D NAND Flash的跌幅可能微幅收敛。其中，2D NAND产品受到的影响较为明显，因为东芝四日市厂区仍为市场重要供应来源且该类产品库存水准较低，所以第三季度预计有上涨压力。

但是以3D NAND架构为主的eMMC/UFS以及SSD等主流产品，在买卖双方皆有高库存支持下，第三季合约价走跌态势不致翻转，但跌幅可能略微减少。而在Wafer（晶圆）及通路零售市场，由于西部数据有不小的市场影响力，同时美光亦宣布扩大减产幅度，加上今年市场已长期处在接近成本线的压力，TrendForce预期将为Wafer报价带来短期调涨压力，第四季度预计合约价趋向持平或小跌。

另一方面，中国国内长江存储也在扩张产能，据悉，长江存储有望在2019年底前在武汉存储基地大规模生产64层3DNAND，长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂。虽然与国际大厂相比，长江存储的64层3DNAND仍落后，产能不算大，但是差距在迅速缩小，也将对NAND Flash市场的价格产生冲击。

在2017年时，由于闪存等存储芯片价格持续上涨，一度引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品的陆续涨价。直到2018年，供需关系发生变化，闪存价格一直下跌，2019年跌势继续。

韩国半导体产业协会的一份相关报告显示：2019年2月，8GB系统内存DRAM（动态随机存取存储器）的全球市场单价为5.9美元，相较于2017年同期下降36.8%，而128GB闪存NAND Flash的全球市场单价为5美元，相较去年同期下降25.2%。

整体来看，由于库存过高，今年NAND Flash产品的价格下跌趋势难反转，但是跌幅可能会缩小。